內地自研光刻機可產8納米以下晶片

報道引述資料稱，該光刻機的核心技術指標包括晶圓直徑300毫米、照明波長193納米、分辨率等於或小於65納米、套刻等於或小於8納米。話雖如此，目前7納米以下製程工藝基本上所用的設備都是更為先進的極紫外光（EUV）光刻機，而到底中國的DUV光刻技術能否像其宣稱那樣實現更小製程工藝的生產，尤其是良率，仍然是一大問號。

由荷蘭ASML公司提供的光刻機設備，一直都幾乎壟斷了所有光刻機市場。儘管個別日本光學公司如尼康（Nikon）等也有生產光刻機的能力，但在先進半導體製造領域，基本上一定要用到ASML的產品。由於受到美國的出口管制限制，ASML無法向中國出口EUV光刻機。這次中國成功自主研發次一級的DUV光刻機，某程度上也算填補了這一空白。

另邊廂，受到美國政府重點扶持的英特爾（Intel）業務表現長期疲弱，甚至有傳其業務面臨分拆的命運。不過，外媒引述消息人士稱，英特爾與美國官員達成一項具有約束力的協議，稱該公司已正式有資格獲得高達35億美元（約273億港元）的聯邦撥款，為軍方生產晶片，涉及軍事和情報部門，項目名稱為「安全飛地（Secure Enclave）」。