三星目標2028年前超越台積電

慶桂顯日前出席活動時表示，三星目前的確在技術層面上落後於台積電，包括大約在4納米製程工藝技術方面落後了兩年，3納米製程上則落後了一年。而他之所以認為三星能夠反超對手，是因為其早在3納米製程中，已引入了環繞式閘極（Gate-All-Around，GAA）技術。

與台積電3納米工藝所採用的鯺式場效電晶體（FinFET）技術相比，GAA理論上可以將晶片面積減少多達45%，同時提供30%的更高性能和減少50%耗能。他認為，台積電在其晶片製程推進至2納米之前都不會使用GAA技術，因此三星有望靠技術領先反過來超越台積電。

雖然他聲稱客戶對三星3納米製程的GAA技術「反應良好」，但根據此前消息，三星先進製程晶片的生產良率一直偏低，加上客戶不願冒險試用三星經常出事的技術，因此當前蘋果公司（Apple Inc.）、高通最新一代旗艦晶片仍找台積電代工。

三星的雄心壯志不止於超越台積電，慶桂顯更把目光放到正在急速冒起的人工智能（AI）浪潮。在他看來，三星的記憶體晶片在AI伺服器領域將日益重要，有朝一日甚至超越英偉達（Nvidia）的圖像處理器（GPU）。他表示，三星正在研發一部以記憶體晶片為重點的超級電腦，冀在2028年底前面世。