產經

Intel研最小3D晶片 狙擊台積電

Intel先進製程技術落後台積電。 Intel先進製程技術落後台積電。
Intel先進製程技術落後台積電。
為重奪晶片代工產業龍頭地位,半導體老店英特爾(Intel)公布先進封裝技術路線圖,繼續鑽研將晶片各個組件「3D」堆疊的技術,旨在於未來10年製造最小、速度最快的晶片,向其追趕對象台積電發動新一輪攻勢。
由於晶片組件實現微細化日益困難,通過把多塊晶片堆疊起來的先進封裝技術重要性正在提高,成兵家必爭之地。外媒指,英特爾研究團隊上周六以論文形式介紹其正在開發的最新堆疊技術,將可使小晶片(Chiplets)之間的連接增加10倍,意味着更複雜的小晶片可以相互堆疊。
更惹人注目的是,英特爾認為連運算元件電晶體都可以垂直堆疊,一樣面積的晶片上可增加30至50%電晶體。不斷以刁鑽工藝縮小電晶體,於相同面積上增加其數量,正正是過去50多年令晶片運算加速的關鍵。該公司研究部門指,通過將晶片組件直接堆疊可節省面積和成本,更可提高晶片性能。
印度擬擲782億邀外企設廠
事實上,相比起台積電及南韓三星電子,英特爾在先進製程爭霸賽中仍然落後。不過,行政總裁蓋爾辛格自今年2月上任以來,多次揚言要在4年內重新稱霸全球晶片行業。
另外,印度政府為吸引國際半導體公司進駐當地投資,據報擬加碼補貼額度,撥出7,600億印度盧比(約782.81億港元)在未來6年內補貼外企設立逾20座晶片設計、零組件製造和顯示器製造廠,為印度成為電子製造中心鋪路。該計劃或於月內送交印度內閣審批,之後有關部門將公布計劃細節,邀請有興趣的外企申請。
印度政府的對象據報包括台積電、聯華電子與英特爾,已開始為台廠覓地。一年前招攬外企進駐當地失敗的原因,乃當局提供的補貼最多只有資本開支的四成,現已將上限提高至五成。
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