美建晶片廠速度慢台灣9個月
全球晶片荒問題仍未解決,美國政策諮詢機構安全與新興技術中心(CSET)發表的研究報告指,美國晶片廠的建設速度較台灣落後9個月,促政府改革監管審查流程,以增加對晶片廠的吸引力。與此同時,據外媒報道,正在訪美的三星電子副會長李在鎔日前與美國白宮高層會面,預計近日公布美國新工廠選址。
報告中提到,在2010年代,美國新建晶片廠平均需時918天,遠超內地的675天,以及台灣的642天,認為當中涉及的環境、安全等複雜監管流程影響建廠速度,故美國政府需要刪除或修改冗長多餘的審批流程,提升建廠速度。
三星傳敲定赴美設廠
針對現有晶片廠的擴建,CSET建議,美國環保署應設立「快速通道」,只要工廠保持在排放上限之內,就可以進行擴建、設備更改、製程修改等營運用途修訂,不必提交環境許可申請。
儘管美國近兩年積極鼓勵半導體製造業,並先後通過合共690億美元撥款議案,以推動晶片製造的政策。不過,CSET認為,美方仍需要參照台灣、日本、南韓、新加坡等亞洲地區的做法,進行公共設施、交通運輸和供應鏈網絡投資,以助半導體製造商。
報道指,三星李在鎔應已決定在美國投資晶圓工廠,並向美方具體介紹。他上周四在美國聯邦議會會見負責半導體優惠法案的核心議員,並呼籲美方為提供半導體企業優惠的法案獲得通過給予配合。
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