英特爾新晶片延遲面世

該公司負責伺服器晶片業務的副總裁Lisa Spelman透過社交平台透露，公司為提升該款新晶片的性能，需額外增加驗證時間，以作出更詳細測試，晶片生產時間將會延遲至明年首季，即較此前預估的今年底為時更久，而量產時間則順延至明年第二季。

消息拖累英特爾股價受壓，周二下挫1.27%，其競爭對手超微半導體（AMD）則上漲2.8%，周三早段兩股繼續分道揚鑣。分析指，Pat Gelsinger揚言要讓英特爾重奪電腦處理器的領導地位，並承諾新晶片會於年內推出，惟採用10納米、7納米等下一代製程的處理器已多次延遲，如今晶片又傳延期，恐再度損害其業界技術的領先優勢。

內地晶片發展方面，據內地官媒報道，北京航空航天大學科研人員在磁性晶片高精度檢測領域取得新突破，利用晶圓級磁光克爾測試儀，通過微小的磁性針尖在納米磁性薄膜上寫字，完成平整度檢測後，將薄膜製成器件，封裝後形成晶片。據悉，該檢測儀器現已應用於科研領域，預計於今年10月投入商用。

國家能源局局長章建華亦撰文指，要突出「創新在內地現代化建設中的核心地位」，同時推進電力安全核心技術和關鍵裝備科技研發，加快晶片模塊、特高壓直流套管等方面的國產化替代，有效解決「卡脖子」問題。

文中又提及，內地將會構建以新能源為主體的新型電力系統。目前內地電能佔終端用能比例達到27%，隨着推動「碳達峰」、「碳中和」目標，該比例將持續提高。