華研晶體管柵介質材料 助突破晶片物理極限

二維積體電路是一種新型晶片，用厚度僅為一個或幾個原子層的二維半導體材料構建，有望突破傳統晶片的物理極限。為製造與之匹配的高質量柵介質材料，團隊開發出原位插層氧化技術，能精準控制氧原子一層一層有序嵌入金屬元素的晶格中。

研究員狄增峰介紹，團隊成功以單晶氧化鋁為柵介質材料製備出低功耗的晶體管陣列，晶體管陣列具有良好的性能一致性。晶體管的擊穿場強、柵漏電流、介面態密度等指標，均滿足國際器件與系統路線圖對未來低功耗晶片的要求，有望啟發業界發展新一代柵介質材料。