傳美擬禁先進晶片技術出口華

報道指，新措施針對在中國生產的動態隨機存取記憶體（DRAM）和快閃記憶晶片（NAND），若美國供應商向製造18納米節點以上DRAM晶片、128層以下NAND晶片或14納米以上邏輯晶片的中國半導體生產商提供技術，美國商務部將以嚴格的「推定否決」原則審示出口申請；向製造18納米節點或以下DRAM晶片、128層或以上NAND晶片、14納米或以下邏輯晶片的中國廠房出口設備之申請，則會以「逐宗審示」原則處理。

美國企業向在中國設廠的外國半導體生產商出口設備，申請亦會逐宗審批，可能會批准相關申請。知情人士透露，南韓SK海力士半導體公司及三星電子可能獲得出口豁免。