Open Ray 手記：TB級固態硬碟

而市面有售的固態硬碟，容量已開始提升至1TB或以上，這對大容量NAND快閃記憶晶片造成不少需求。

日前三星發表第3代V-NAND，採用48層3-bit MLC堆疊技術，每片晶片容量高達256Gb。該款快閃記憶體的密度是傳統128Gb NAND的一倍，因此在相同的晶片面積下，容量提升一倍，售價可望下降40%。

此外，新晶片的耗電量也較上一代的32層3-bit MLC V-NAND節省逾30%。

目前這款第3代V-NAND 新晶片已經開始量產，可用於固態硬碟上。該公司表示，該款大容量晶片面世，可望令TB級的大容量 SSD在今年底前加速普及。

NAND快閃記憶晶片已開始由2-bit過渡至3-bit，早前iPhone 6推出時，有傳聞指128GB的iPhone因採用3-bit快閃記憶而令晶片壽命縮短。我自己購買SSD產品時，暫時仍然慎選舊式的2-bit MLC產品，以避免3-bit MLC 可能因製作工藝未成熟而出現問題。然而，3-bit MLC已成大勢所趨，新一代的V-NAND無論在省電、密度、價錢和可靠性，都較上一代有所提升，看來明年起，市售的SSD將是3-bit MLC的天下了。

另一邊廂，英特爾和美光科技也宣布成功研發出3D Xpoint新技術，可令資料儲存量較DRAM多十倍，耐用程度較NAND高1,000倍，實在值得期待。

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