由於成本關係，很多智能手機都只有16GB快閃記憶儲存空間，要靠外置記憶卡來增加容量。因此，當iPhone推出128GB版本時，有些人覺得連手機也用上128GB ，感到不可思議。
不過，最近韓國三星宣布，專為中低階智能手機而設計的128GB記憶體已經進入量產，這將令高容量快閃晶片變得更便宜，今年你將會見到更多廉價手機內置128GB儲存空間了。
該款記憶晶片採用eMMC 5.0規格，以3-bit V-NAND 技術打造，傳輸速度可達每秒260MB。所謂3-bit V-NAND，就是每個記憶單元可以儲存3-bit數據的新一代快閃技術。在相同的晶片空間下，較以往的SLC多存4倍數據，也較目前常用的2-bit MLC多存1倍資料。因此新技術的製造成本跟現在常用的MLC相若，卻可以多1倍儲存容量，令中低階手機也可以擁有廉價的128GB高容量。
這種3-bit V-NAND又名TLC（Triple-Level Cell），由於要在同一個記憶單元中儲存更多數據，因此其讀寫速度、資料準確性、寫入次數和壽命等，都較傳統的SLC和MLC為差。
例如一般MLC可以重複寫入數據5,000至10,000次，但這種3-bit TLC的寫入次數將減半，約5,000次以下，因此耐用程度不如SLC或2-bit MLC。
不過，快閃記憶體會自動管理複寫數據的位置。大部分人使用手機，很少能夠用盡128GB，晶片會自動使用空置空間，直至所有空間都用盡，才會開始覆寫舊數據。這設計叫做Wear Leveling，用以平衡每個單元的複寫次數。大部分人用手機，直至電池耗盡或零件壞了要換機，其快閃記憶體仍然未達到重寫壽命的極限，因此製造商認為使用TLC把容量增加，對用戶更有用。
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