綜合媒體消息透露，三星在今年的資本支出將着重於NAND Flash記憶體及晶圓代工的技術升級及產能擴充，包括176層3D NAND的第7代V-NAND產品線進入量產，以及擴建極紫外光（EUV）產能，以因應5納米及3納米晶圓代工的強勁需求。至於DRAM產能建置在去年已完成，今年投資金額及擴產規模相對保守。
三星今年的記憶體投資將以NAND Flash為主體，主要策略點是為了拉開與競爭對手鎧俠（Kioxia）、美光、SK海力士等技術及產能差距。該公司雖然領先同業發布176層3D NAND技術，但美光及SK海力士在去年底已宣布在相關技術取得突破，所以三星面臨被對手後來居上的壓力。
第二大廠鎧俠與合作夥伴威騰（WD）持續擴建NAND Flash新廠，包括在日本岩手縣北上市新廠K1已小量生產，K2廠已計劃今年上半年動工，預計明年上半年開始生產。對三星而言，對手積極擴產及技術升級加速，加上SK海力士將收購英特爾NAND Flash事業，所以今年勢必更積極加碼在NAND Flash投資。據悉，該公司的中國西安廠二期第一階段已量產，第二階段在今年下半年完工。
晶圓代工方面，三星的南韓華城廠已在去年量產採用EUV技術的5納米製程，平澤廠也擴大5納米產能因應強勁晶圓代工需求。雖然三星要在產能規模追上台積電仍有難度，但其今年將投下巨資擴建EUV產能及加速3納米製程研發，希望明年3納米可投入量產。