國產晶片現突破 中芯飆11%
中芯國際（00981）被美國狙擊澆不熄市場炒作「晶片國產化」的熱情。內地晶片設計公司芯動科技（Innosilicon）日前宣布，已完成全球首個基於中芯FinFET（鰭式場效電晶體）N+1工藝的晶片流片（試產）及測試。消息刺激中芯股價周一曾報復式反彈13.91%，收市仍飆11.47%，收報20.6元，連帶華虹半導體（01347）也飆12.61%，收報31.25元。
FinFET乃中芯殺入14納米製程時改用的電晶體（晶片元件）結構，N+1則是其第二代FinFET技術，主要是循改良生產工藝，實現晶片元件密度，繼而省電等性能上的提升。
中芯「回A」的招股書提到，N+1乃其投放人手最多的在研項目，關於其進度公司之前的說法是處於客戶導入階段。不過，芯動最新消息是「功能一次測試通過」，「所有IP（知識產權）全自主國產」；又謂芯動基於N+1製程的首款晶片經過幾個月的多輪測試，幫助中芯突破N+1工藝的良率瓶頸。
中興落鑊 升半成
芯動於官網稱曾幫助超微半導體（AMD）等研發產品，換言之今次是有公司可望提供運用中芯N+1工藝去製造晶片的方案。
另外，中興通訊（00763）副總裁李暉早前提到，其自研的7納米製程晶片已於5G基站等設備上實現商用，5納米製程的還在實驗階段。消息不算新鮮，中興早前也澄清自己不能生產晶片，惟股價周一仍「落鑊」，曾飆7.29%，高見20.3元，收市升5.6%，收報19.98元。