新一代記憶晶片容量多10倍

美國半導體生產商英特爾(Intel)和Micron周二宣布,成功研發出新一代記憶晶片3D Xpoint。新晶片傳送速度及耐用度都較NAND快閃記憶體高一千倍,容量亦比傳統記憶體多十倍,可以顯著提升電腦、智能手機和其他高科技產品的性能。生產商料在今年底生產樣辦,並研究應用此技術的產品。

(綜合報道)