大容量的128GB iPhone 6推出以後，曾有用家表示該手機易壞。在多次不停反覆安裝軟件之後，便有機會死機。後來有人發現，128GB版本所用的快閃記憶體跟低容量版本不同，改用了成本較低的3-bit TLC，究竟甚麼是TLC呢 ?
過去快閃記憶體一直有SLC（Single-Level Cell）和MLC（Multi-Level Cell）之分。所謂SLC，即每個記憶單元只記錄1-bit資料，即0或1。由於製造快閃記憶體的成本高昂，於是生產商嘗試在一個單元塞進更多資料，MLC便應運而生。MLC可記錄2-bit資料，即00、01、10和11。簡單來說，SLC的0和1兩個狀態，可以用無電（0）或有電（1）來代表，而MLC則在每個記憶單元中記錄無電（00）、略低電荷（01）、略高電荷（10），以及滿電（11）等4個狀態。由於每個記憶單元可以多記錄兩個狀態，因此記憶容量可以增多1倍。
雖然MLC可以令記憶容量倍增，但其讀寫速度、資料準確性、寫入次數和壽命等，都較SLC為差。因此以往高階的電子產品和企業用的高端SSD固態硬碟，都會使用昂貴的SLC，而廉價產品則使用MLC。現在MLC的技術成熟，昂貴的SLC漸式微，已幾乎全被MLC所取代了。
128GB iPhone 6所用的快閃記憶，屬新一代的3-bit MLC，又名為TLC（Triple- Level Cell）。在同一個記憶單元中，可以儲存3-bit資料，即000、001、010、011、100、101、110和111等合共8個狀態。因此TLC的記憶容量又再比以往的2-bit MLC倍增。在相同的記憶單元下，TLC可以較SLC儲存多 4倍資料，因此成本更低。
不過，TLC的讀寫速度和壽命也進一步降低，有iPhone用戶指新機安裝軟件太多時易壞，便可能跟改用TLC有關。
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