台積電2納米製程傳有大突破
世界最大晶片代工廠台積電迄今從未公布過關於2納米製程的時間表，僅曾表示「3納米製程明年試產，二二年下半年量產」，但台灣傳媒引述消息報道，這間獲美國「欽點」去當地開廠製造尖端晶片的公司，其開發2納米製程有重大突破，進度比原先計劃快，可望進一步擴大其領先於南韓和內地的技術優勢。
採用新電晶體架構
一塊晶片上有極多電晶體發揮運算等不同功能。中芯國際（00981）殺入14納米製程時首度使用的鰭式場效電晶體（FinFET）架構，也獲台積電沿用於先進四代的3納米製程，市場相信是為了方便用慣了FinFET架構的晶片設計商客戶縮短產品開發周期。
不過，消息指，台積電將更新一代的2納米製程，改用全新的多橋通道場效電晶體（MBCFET）架構，它是建基於三星會用於3納米製程的環繞閘極場效電晶體（GAAFET）架構設計得來。
據悉，台積電去年成立了2納米製程專案研發團隊，改採用新電晶體架構的考慮除了解決FinFET的物理極限外，還有其極紫外光（EUV）縮影技術已經提高，「良率提升進度較預期順利。」
業界估2024年量產
台積電總裁魏哲家日前透露，該公司製程每前進一代，客戶產品速度效能會增加30至40%，功耗可降低20至30%。台媒引述供應鏈推測指，或許台積電的2納米製程二三年下半年就能試產，翌年正式量產，並可望獲蘋果公司（Apple Inc.）、英偉達（Nvidia）、高通及超微半導體（AMD）等大客陸續轉用，尤其是Nvidia鯨吞英國晶片設計商Arm Holdings後會邁進超級電腦和超大型資料中心等應用的市場，日後會更倚賴台積電。